Источник питания «ИП-3МГ» для многомагнетронной СВЧ установки плазмохимического осаждения

  

Источник питания «ИП-3МГ», предназначен для преобразования переменного трехфазного напряжения промышленной сети в постоянный и генерации тока заданной формы, для питания магнетронов установки плазмохимического осаждения углеродных алмазоподобных пленок.

Технические характеристики

Технические параметры Ед. изм. / Описание Значение параметров
Напряжение питания В
380+/-10%
Частота питающей сети Гц
50+/-1
Количество выходных каналов
шт
3
Выходное напряжение
кВ
3.5-5
Длительность импульса регулируемая
мкс
100
Длительность паузы регулируемая
мкс
100
Частота импульсов
Гц
100-:-3500
Амплитуда тока в импульсе
А
0.03-2
Ток в паузе регулируется
А
0.03-2
Ток в непрерывном режиме
А
0.03-1
Ток накала (максимальный на канал)
А
11
Управление
С передней панели
По интерфейсу RS-485/232
Точность стабилизации тока нормируется в диапазоне и составляет
А

%

30мА-:-2А
0.5
Выходная мощность в импульсном режиме
кВт
30
Выходная мощность в непрерывном режиме
кВт
15
Охлаждение
Воздушное принудительное
Размеры габаритные
мм
420х470х550
Вес
кг
45
Ток регулируется отдельно в каждом канале. Модуляция в каналах осуществляется по току, глубина модуляции регулируемая от 0 до 100%.
Управление и индикация осуществляется панелью оператора «DELTA»

Фотографии

Общий вид

Общий вид

Панель оператора «DELTA»

Панель оператора «DELTA»

Плазма СВЧ поля

Плазма СВЧ поля

Осциллограмма импульсного СВЧ поля

Осциллограмма импульсного СВЧ поля

Добавить комментарий