Источник питания «ИП-3МГ» для многомагнетронной СВЧ установки плазмохимического осаждения

Источник питания «ИП-3МГ», предназначен для преобразования переменного трехфазного напряжения промышленной сети в постоянный и генерации тока заданной формы, для питания магнетронов установки плазмохимического осаждения углеродных алмазоподобных пленок.

Технические характеристики источника плазмохимического осаждения

Технические параметры Ед. изм. / Описание Значение параметров
Напряжение питания В
380+/-10%
Частота питающей сети Гц
50+/-1
Количество выходных каналов
шт
3
Выходное напряжение
кВ
3.5-5
Длительность импульса регулируемая
мкс
100
Длительность паузы регулируемая
мкс
100
Частота импульсов
Гц
100-:-3500
Амплитуда тока в импульсе
А
0.03-2
Ток в паузе регулируется
А
0.03-2
Ток в непрерывном режиме
А
0.03-1
Ток накала (максимальный на канал)
А
11
Управление
С передней панели
По интерфейсу RS-485/232
Точность стабилизации тока нормируется в диапазоне и составляет
А

%

30мА-:-2А
0.5
Выходная мощность в импульсном режиме
кВт
30
Выходная мощность в непрерывном режиме
кВт
15
Охлаждение
Воздушное принудительное
Размеры габаритные
мм
420х470х550
Вес
кг
45
Ток регулируется отдельно в каждом канале. Модуляция в каналах осуществляется по току, глубина модуляции регулируемая от 0 до 100%.
Управление и индикация осуществляется панелью оператора «DELTA»

Фотографии источника питания ИП-3МГ

Общий вид
Общий вид
Панель оператора «DELTA»
Панель оператора «DELTA»
Плазма СВЧ поля
Плазма СВЧ поля
Осциллограмма импульсного СВЧ поля
Осциллограмма импульсного СВЧ поля
Ссылка на основную публикацию